رشد و مشخصه یابی ساختاری و الکتریکی نانو ذرات Si تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 84

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_IJSSE-7-11_007

تاریخ نمایه سازی: 10 آبان 1402

چکیده مقاله:

نانو ذرات  Siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-Si(۱۱۱)در زاویای °۰، °۷۵ و °۸۵ ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °۷۵ به °۸۵ نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °۸۵ توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در نتیجه مقاومت سطحی نمونه °۷۵ به مراتب بزرگتر از °۸۵ و نمونه °۸۵ به مراتب بزرگتراز زیر لایه سیلیکان می باشد.مورفولوژی سطحی و تصویر سطح مقطعی فیلمها با استفاده از SEM  مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان داد که نمونه با تخلخل بیشتر دارای مقاومت سطحی کمتر می شود. همچنین مشخصه I-V پیوندگاه nSi/p-Si(۱۱۱) مورد بررسی قرار گرفت. این پیوندگاه دارای رفتار غیر خطی الکتریکی و دیود گونه می باشد.

کلیدواژه ها:

روش نهشت GLAD (glancing angle deposition) – نانو ذرات Si – مقاومت سطحی – تخلخل