مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe۲ و CuInSe۲ همراه با ناخالصی اندیم

مواد CuInTe۲ و CuInSe۲ از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH و تحرک هال ، در دماها و میدانهای مختلف، دریچه ای در P-CuInTe۲ مشاهده شده است. با افزایش دما به بیش ازk  ۱۷۰ و تغییر  RH، فاصله بین سطح دانه ها بیشتر می شود. با افزودن درصدی اندیم به این لایه ها، ضریب هال در گستره های دمایی k ۲۰۰-۷۷ ثابت می ماند . در این مقاله نشان خواهیم داد که در ماده CuInSe۲ -P که به صورت لایه هایی با ترکیب عنصری است، با افزودن اندیم به دمای بیش از k ۱۵۰، فاصله میان سطح دانه ها بیشتر می شود. در این مقاله، مقادیر  در لایه های یاد شده مورد مطالعه قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

CuInTe۲ ، CuInSe۲ ، رسانندگی ، ضریب هال ، تحرک هال ، اندیم