مقایسه ساختار و مورفولوژی لایه های نازک Cu بر زیر لایه GaAsدر روش های الکتروانباشت و الکترولس

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیرلایه ی نیم رسانای گالیوم آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از mA ۵ تاmA۳۰ و لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف oC ۲۵، oC۷۷ تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه ها به کمک دستگاه های XRD و SEM مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه های الکتروانباشت شده در جریان های مختلف انباشت و هم چنین زبری لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف به کمک میکرسکوپ نیروی اتمی AFM  مطالعه و با یکدیگر مقایسه می شوند.

کلیدواژه ها:

الکتروانباشت ، الکترولس ، لایه نازک Cu ، نانوساختار ، XRD ، AFM