مقایسه ساختار و مورفولوژی لایه های نازک Cu بر زیر لایه GaAsدر روش های الکتروانباشت و الکترولس
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 81
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJSSE-9-18_002
تاریخ نمایه سازی: 10 آبان 1402
چکیده مقاله:
در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیرلایه ی نیم رسانای گالیوم آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از mA ۵ تاmA۳۰ و لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف oC ۲۵، oC۷۷ تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه ها به کمک دستگاه های XRD و SEM مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه های الکتروانباشت شده در جریان های مختلف انباشت و هم چنین زبری لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف به کمک میکرسکوپ نیروی اتمی AFM مطالعه و با یکدیگر مقایسه می شوند.
کلیدواژه ها: