بررسی ضریب پیزوالکتریک در ساختار چند لایه ای SiGe
محل انتشار: شانزدهمین همایش بلور شناسی و کانی شناسی ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,067
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCMI16_271
تاریخ نمایه سازی: 8 بهمن 1391
چکیده مقاله:
دراین مقاله خاصیت پیزوالکتریک درلایه تحت کرنش SiGe در ساختار چند لایه ای را بااستفاده ازروش گرماسنجی شابنیکف دهاس مورد مطالعه قرارداده ایم. سپس یک مدل نظری را فرمولبندی کرده ونتایج آن را با داده های ت تجربی برازش داده وضریب پیزوالکتریک آنر محاسبه کرده ایم. این مقدار با نتایج گزارش شده ی اخیرتوافق خوبی نشان می دهد.
نویسندگان
قاسم انصاری پور
دانشکده ی فیزیک، دانشگاه یزد، یزد