مشخصه یابی لایه های نازک اکسید روی آلائیده با ایندیم، تهیه شده به روش افشانه پایرولیزز

فیلمهای نازک اکسید روی غیر آلائیده وآلایش یافته با ایندیم با استفاده از تکنیک افشانه پایرولیزز تهیه می شوند. در این مقاله اثر ترکیب تدریجی کاتیونهای ایندیم در ساختار اکسید روی در خواص اپتیکی ، الکتریکی و ساختاری فیلمهای اکسید روی آلائیده با ایندیم مطالعه م شود . جهت رشد غالب فیلمهای اکسید روی راستای( 002 ) می باشد که با ورود ایندیم به شبکه بلوری راستای ( 002 ) حذف گشته و سه راستای 100 101 110 فاز غالب 100 استفاده از پراش اشعه X مشاهده شده است . بررسی ساختاری لایه ها با درصدهای مختلف آلایش با استفاده از پراش پرتو X حاوی دو نتیجه می باشد: اول آنکه در درصد آلائیدگی کمتر فاز غالب در جهت گیری صفحات بلوری تغییر نکرده اما شدت آن کاهش یافته است. ذکر این نکته ضروری به نظر می رسد که در آلایش 1% علی رغم عدم تغییر آنچنانی د راستای رشد غالب 002 خواص الکتریکی بهبود قابل ملاحضه ای یافته است. دوم آنکه در صورتیکه به دنبال یافتن راستاهای جدید بلوری باشیم می باید توجه خود را به لایه های تهیه شده در درصد آلائیدگی بیشتر معطوف نماییم . در درصد آلائیدگی بالاتر فاز غالب از ( 002 ) به 110 ) تغییر می کند . بررسی خواص الکتریکی و اپتیکی ایده آل ترین لایه های اکسید روی آلائیده با ایندیم به ترتیب مقاومت سطحی Ώ و طیف عبوری در ناحیه مرئی 77 % را نشان می دهد که نشانگر کاربرد بالای این لایه ها در ساخت قطعات اپتوالکترونیکی است.