بررسی اثر حرارت دهی بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک اکسید قلع به روش تبخیر الکترونی

در این مقاله لایه های نازک 2SnO توسط تکنیک تبخیر اشعه الکترونی در غیاب اکسیژن ودر د مای C250 تهیه شده اند و بعد از تهیه اکسیداسیون نمونه ها درمحیط هوادر دماهای 200 ، 300 ، 400 و500 درجه سانتیگراد برای زمان 1h انجام گرفته ومیزان تغییرات در خواص اپتیکی والکتریکی و اندازه دانه ها تحت تاثیر دمای محیط بررسی شده است که در اغلب موارد به سبب بهتر شدن ساختار کریستالی وکاهش مرز دانه خواص لایه بهبود می یابد. لایه ها توسط سیستم 6VACUUM COATING UNIT MODEL 15F روی زیر لایه های ازجنس سودا لایم در دمای C 250 تهیه گشته و انیلینگ در کوره در محیط هواصورت گرفته است.برای مشخصه یابی نمونه ها از UV VISIBLE برای خواص اپتیکی لایه ها واثر هال برای بررسی خواص الکتریکی استفاده شده است.