طراحی سلول SRAM هشت ترانزیستوری جدید زیر ناحیه ی آستانه با توانایی نوشتن دیفرانسیلی و خواندن یکطرفه سازگار با ساختار جایگذاری بیت

در این مقاله یک سلول SRAM هشت ترانزیستوری با عملکرد زیر ناحیه ی آستانه ارائه می شود که در آن ضمن بهبود عملیات خواندن و نوشتن، مصرف توان کاهش چشمگیری دارد. سلول پیشنهادی عملیات نوشتن را به صورت دیفرانسیلی و عملیات خواندن را به صورت یکطرفه انجام می دهد. در این طراحی از ترکیب مناسب تکنیک هایی استفاده شده که نهایتا منجر به بهبود عملکرد سلول می شود. این روش ها عبارتند از تضعیف فیدبک وارونگرها در مد نوشتن، استفاده از ویژگی افزایش ولتاژ اعمالی به ترانزیستورهای دسترسی، حذف یکی از ترانزیستورهای راه انداز و جداسازی گره ذخیره از ترانزیستور دسترسی خواندن توسط بافر. شبیه سازیها در تکنولوژی ۳۲ نانومتر PTM، نشان میدهد که سلول پیشنهادی، در تغذیه ی ۰.۳ولت، مصرف توان مد خواندن را نسبت به سلول ۶ ترانزیستوری استاندارد، %۹۳ مصرف توان مد نوشتن را، %۸۰ بهبود می بخشد. علاوه بر این، سلول پیشنهادی، در مقایسه با سلول های مشابه دیگر که قابل اجرا در ساختار جایگذاری بیت هستند، دارای مصرف توان کمتر و مد نوشتن قوی تری است. این در حالی است که سلول پیشنهادی در مد خواندن نیز از عملکرد مطلوبی برخوردار است.

کلیدواژه ها:

SRAM زیرآستانه ، جایگذاری بیت ، پایداری ، خطای نرم