بررسی ورقه های سیلیکونی (۱۱۱) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (۱۰۰)
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 12، شماره: 1
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 79
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-12-1_012
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
چکیده مقاله:
در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، Si(۱۰۰) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه Si(۱۰۰) و Si(۱۱۱) به بررسی نانوساختاری فیلم های مزبور پرداخته و امکان جایگزینی Si(۱۰۰) با Si(۱۱۱) مورد مطالعه قرار گیرد. نتایج به دست آمده در کار حاضر نشان می دهد که Si(۱۱۱) با درگاه دی الکتریک های نیتریدی مناسب تر است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی بهاری
دانشگاه مازندران