جرم موثر در نیمه هادی های مغناطیسی رقیق شده: با استفاده از مگنتواپتیک
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 13، شماره: 3
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 140
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-13-3_013
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
چکیده مقاله:
نمونه هایی از فیلم های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (۰۰۰۱) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه گیری مغناطش این نمونه ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و MCD را به صورت تابعی از انرژی در فاصله ۴- ۵/۱ الکترون ولت و همچنین چگالی حامل های هر یک از نمونه ها با استفاده از اثر هال اندازه گیری شدند. مشاهده شد گاف های نواری با چگالی حامل ها تغییر می کنند. از این روی جرم موثر حامل ها از طریق اثر بورستین- ماس و انقباض گاف های نواری محاسبه شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
- عباس مختاری
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک