بررسی اثر روش لایه نشانی بر خواص نوری-الکتریکی لایه نازک اکسید روی نانو ساختار تهیه شده به روش سل-ژل

در پژوهش حاضر، لایه نشانی چرخشی و لایه نشانی غوطه وری، به عنوان دو روش مرسوم و پر کاربرد در تولید لایه نازک اکسید روی آلاییده با 1% عنصرAl از دیدگاه خواص نوری و الکتریکی مقایسه شدند. نمونه های یک، شش و بیستلایه از لایه نازک اکسید روی آلاییده شده باAl توسط هر دو روش تولید شدند و خواص نوری و الکتریکی آن ها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج حاصل نشان دادند که در تعداد یکسان لایه نشانی، ضخامت نمونه های تولید شده توسط روش چرخشی کمتر از ضخامت نمونه های تولید شده توسط روش غوطه وری است. در بررسی های نوری مشخص شد کهافزایش ضخامت از یک سو سبب افزایش میزان جذب در ناحیه فرابنفش شده و از سویی دیگر منجر به ایجاد اشکال نوسانی در ناحیه مرئی در نمودار های تستUV-Vis می گردد. همچنین محاسبه مقادیر فاصله باند در مورد نمونه های فوق نشان داد که نمونه های تک لایه به شدت تحت تاثیر زیر لایه و کرنش های داخلی قرار دارند و در نتیجه مقدار فاصله باند آن ها اختلاف زیادی با نمونه های شش و بیست لایه دارد. نتایج حاصل از تست مقاومت سنجی نشان دادند که مقاومت الکتریکی نمونه تهیه شده توسط لایه نشانی چرخشی، چهار برابر مقاومت الکتریکی نمونه های تهیه شده به روش غوطه وری بود. در انتها نیز مقایسه کلی میان دو روش چرخشی و غوطه وری از منظر فرآیند و خواص صورت گرفت.

کلیدواژه ها:

اکسید روی ، لایه نازک نانو ساختار ، سل-ژل ، خواص نوری-الکتریکی