بررسی تاثیر دما و نرخ حرارت دهی عملیات آنیل بر بهبود خواص الکتریکی و نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید ایندیم قلعITO)

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 627

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IMES06_284

تاریخ نمایه سازی: 8 بهمن 1391

چکیده مقاله:

لایه نازک نانوساختار اکسید ایندیم قلعITO) با شفافیت بالا در محدوده نور مرئی و هدایت مناسب به روش لایه نشانی چرخشی تهیه شد. بدین منظور، محلول سل اولیه شامل محلول های کلرید ایندیم و کلرید قلع با روش لایه نشانی چرخشی بر روی زیر لایه با سرعت 3000 دور بر دقیقه نشانده شد. سپس لایه ایجاد شده در دمای 501° خشک شده و تحت عملیات آنیل در محدوده دمایی 300 تا 700° با نرخ حرارت دهی 2 و 5°C/min قرار گرفت. جهت بررسی لایه های نازک از پراش پرتو اشعهXRD) Xمیکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانیFESEM) روش مقاومت سنجی چهار نقطه ای و طیف سنجی جذب و نشر استفاده شد. موقعیت پیک ها در طیف های آنالیزXRD موید تشکیل فازهای کریستالی مکعبی بیکسبیتIn2O3و فاز کریستالی رومبوهدرالITO می باشد.

کلیدواژه ها:

اکسید ایندیم قلعITO) لایه نازک ، سل- ژل ، لایه نشانی چرخشی ، عملیات آنیل

نویسندگان

سعید محمدی

فارغ التحصیل کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد ، پردیس دا

حسین عبدی زاده

دانشیار، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد ، پردیس دانشکده های فنی، دان

محمدرضا گل وبستان فرد

دانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد ، پردیس دانشکده های فن

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S. S. Kima, S. Y. Choi, C. G. Parkb and ...
  • R. G. Gordon, "Criteria for choosing transparent conductors", Materials Research ...
  • B. G. Lewis and) C. Paine, "Applications and Processing of ...
  • G. Giusti, L. Tian, I. P. Jones, J. S. Abell ...
  • V. Arivazhagan and S. Rajesh, "Influence of In/Sn ratio _ ...
  • J. Ba, D. F. Rohlfing, A. Feldhoff, T. Brezesinski, I. ...
  • A. Chaoumead, W. J. Choi, D. H. Lee and Y. ...
  • A. Beaurain, D. Luxembourg, C. Dufour , V. Koncar, B. ...
  • J. Tauc, Amorphous and Liquid S emiconductors, 1974, Plenum Press, ...
  • نمایش کامل مراجع