تعیین شرایط ساخت پوشش مزوسیلیس به روش خودآرایی القاشده با تبخیر بر روی شیشه
محل انتشار: فصلنامه سرامیک ایران، دوره: 18، شماره: 3
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 74
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JICERS-18-3_006
تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1402
چکیده مقاله:
در میان اشکال مختلف مزوسیلیس که شامل نانو ذرات، پوشش ها و لایه های نازک، ساختارهای هسته-پوسته، الیاف ها و قطعات یک پارچه است، لایه های نازک مزوسیلیس دارای اهمیت و کاربرد زیادی در حوزه های مختلف نوری، الکترونیکی، انواع حسگرهای الکتروشیمیایی و سایر موارد هستند. به منظور بررسی فرآیند ساخت و تاثیر آن بر خواص پوشش، در این مطالعه، پوشش تک لایه مزوسیلیس به روش خودآرایی القاشده با تبخیر و با استفاده از هگزا دسیل تری آمونیوم برماید به عنوان عامل فعال سطحی ساخته شد. پس از آماده سازی محلول پایدار و پیرسازی آن به مدت زمان ۷ روز، لایه نشانی انجام و به منظور خروج عامل فعال سطحی، نمونه به مدت ۴ ساعت در دمای ۴۵۰ درجه سانتی گراد کلسینه شد. برای بررسی درستی شرایط ساخت، پایداری سل و فرآیند خروج عامل فعال سطحی مطالعه شد و پوشش ساخته شده به کمک آزمون های پراش اشعه ایکس کوچک-زاویه و میکروسکوپ الکترونی مورد مشخصه یابی قرار گرفت. نتایج آزمون ها حاکی از ایجاد یک پوشش پیوسته و بسیار صاف با ضخامت ۵۰۰ نانومتر و دارای یک ساختار منظم با اندازه تخلخل حدود ۳ نانومتر بود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فاطمه حسن آقائی
IKIU
محمدمسعود محبی
IKIU
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :