بررسی مراحل ایجاد نانو سیم های اکسید گالیوم و مشخصه های آن ها

سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 104

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ECMCONF08_015

تاریخ نمایه سازی: 3 مهر 1402

چکیده مقاله:

هدف از پژوهش حاضر بررسی ساخت نانو سیم های اکسید گالیوم و ویژگی های آن ها می باشد. نتایج نشان داد با بکاربردن یک متد ساده سریع گرمای القایی با فرکانس بالا، محصولی قوی از نانوسیم های Ga۲O۳ در کمتر از ۵ دقیقه ترکیب شده اند. تصاویر SEM قطرهای نانوسیم از ۲۰-۱۲۰ نانومتر و طولهایی تا حدود ۵μm را نشان می دهد. تصاویر HRTEM بیان می دارد که نانوسیم های Ga۲O۳ خیلی کریستالی هستند و توصیف خواص الکتریکی نانوسیم های ترکیب شده Ga۲O۳ در یک ساختار FET که نانوسیمهای نوع n از Ga۲O۳ را نشان می دهد که در دمای اتاق حاوی جریان بزرگتر و جنبش حاصل بیشتر است. بعلاوه این متد امکان یک ترکیب ساده و قوی از نانومواد دیگر را نیز فراهم می کند.

کلیدواژه ها:

نانو سیم ، نانو سیم های اکسید گالیوم ، قطر نانوسیم ، تصاویر SEM

نویسندگان

سید حسام الدین موسوی

کارشناسی ارشد مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود، ایران