طراحی و ساخت ساختار فلز- اکسید- نیمه هادی به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی
محل انتشار: فصلنامه مهندسی مخابرات جنوب، دوره: 8، شماره: 30
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 48
نسخه کامل این مقاله ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JCEJ-8-30_004
تاریخ نمایه سازی: 8 شهریور 1402
چکیده مقاله:
تولید پیوند فلز- عایق- نیمه هادی MOS به روش فلزنشانی الکتروشیمیایی گزارش گردیده است. برای انجام کار ابتدا مفتولی از جنس نیکل- کروم را در محیط های الکترولیت مناسب قرار داده و با اعمال ولتاژ، بترتیب لایه های نازک آلومینیوم و فلز روی بر سطح آن نشانده شد . در مرحله بعد لایه های حاصل در دمای ۴۰۰ درجه سانتیگراد در معرض هوا اکسید گردید تا لایه های اکسید آلومینیوم به عنوان عایق و اکسید روی به عنوان نیمه هادی تشکیل گردد. با بررسی منحنی آرنیوس ضمن تایید نیمه هادی بودن لایه اکسید روی فاصله ترازهای انرژی ناخالصی از تراز هدایت آن ۱۸/۰ ولت به دست آمد. همچنین با بررسی منحنی C-V در خازن MOS حاصله، ضمن تایید تشکیل پیوند فلز- عایق- نیمه هادی، ولتاژ آستانه آن حدود ۷۵/۲ ولت بدست آمد. این فعالیت خصوصا نشاندن لایه هایی از مواد مختلف به عنوان روش نو قابل عرضه است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
عاطفه چاهکوتاهی
باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر