پمپ بار افزاینده DC بهینه یافته در تکنولوژی ۱۸۰ نانومترCMOS مناسب برای کاربردهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس های رادیویی

در این مقاله یک پمپ بار جدید در تکنولوژی CMOS طراحی و پیاده سازی شده است. با بکارگیری بایاس بدنه برای کاهش ولتاژ آستانه و کنترل ولتاژ با بکارگیری مدار مرجع ولتاژ، به مدار افزاینده ولتاژ DC به DC با راندمان بالا جهت تامین ولتاژ ورودی در حد ۳۲۰ میلی ولت و ولتاژ خروجی بالای یک ولت دست یافته شده است. شبیه سازی های لازم انجام شده است تا بتوان مدار افزاینده ولتاژ پیشنهادی را در حالتی که نتایج نزدیک به نتایج ساخت باشد بتواند تحلیل شود. مشخصات حاکی از آن است که در مقایسه با کارهای انجام شده قبلی، از خازن های کوچکتر جهت کاهش مساحت مدار و همچنین ولتاژ خروجی بالا با بکارگیری حداقل تعداد ترانزیستور بهره برده شده است. نتایج شبیه سازی با خازن پمپ بار ۲۵ پیکوفاراد در هر طبقه و فرکانس پالس ساعت ۲۰۰ کیلوهرتز نشان می دهد که ولتاژ ورودی ۳۵۰ میلی ولت در کمتر از ۲ میلی ثانیه به ۱.۲ ولت می رسد. مدار پیشنهادی می تواند مناسب برای کاربردهای با توان مصرفی پایین و بکارگیری برداشت انرژی برای تامین ولتاژهای موردنیاز در مدارهای راداری و شناسایی از طریق فرکانس های رادیویی باشد.

کلیدواژه ها:

رادار کم توان ، پمپ بار ، مدار افزاینده ولتاژ ، راندمان بالا ، مساحت کم ، زمان پایداری ، شناسایی از طریق فرکانس های رادیویی