Modelling of Drain Current of MOSFET Transistor in Terms of Gate Oxide Thickness
محل انتشار: فصلنامه ادوات مخابراتی، دوره: 5، شماره: 2
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 79
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TDMA-5-2_004
تاریخ نمایه سازی: 28 مرداد 1402
چکیده مقاله:
Study on effects of changing the oxide thickness, can give us a view of the aspects of MOSFET, in field of design of the transistor elements. Changing the oxide thickness affects on both Cox and Vt. At first, in this paper, the relation between the threshold voltage and oxide thickness will be discussed. Then, the relation between the drain current and oxide thickness will be modeling. The result is a nonlinear and parabolic relationship between the drain current and oxide thickness. To ensure the authenticity of the obtained model, a MOSFET parameters, based on ۵ µm CMOS technology was designed. This MOSFET was simulated with COMSOL software and obtained mathematical model analyzed with MATLAB. Finally, the data were compared, which confirmed the authenticity of the mathematical model.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Masoud Pourgholam
Babol Noshirvani University of Technology
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :