Si/ZnO NANO STRUCTURED HETEROJUNCTIONS BY APCVD METHOD
محل انتشار: مجله علم مواد و مهندسی ایران، دوره: 12، شماره: 4
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 57
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJMSEI-12-4_003
تاریخ نمایه سازی: 26 مرداد 1402
چکیده مقاله:
In this paper, polycrystalline pure zinc oxide nano structured thin films were deposited on two kinds of single crystal and polycrystalline of p and n type Si in three different substrate temperatures of ۳۰۰, ۴۰۰ and ۵۰۰◦C by low cost APCVD method. Structural, electrical and optical properties of these thin films were characterized by X ray diffraction, two point probe method and UV visible spectrophotometer respectively. IV measurements of these heterojunctions showed that turn on voltage and series resistance will increase with increasing substrate temperature in polycrystalline Si, while in single crystal Si, turn on voltage will decrease. Although they are acceptable diodes, their efficiency as a heterojunction solar cell are so low
کلیدواژه ها:
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :