بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی Al۲O۳/PVP (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)

نمونه­های پودری نانوکامپوزیت دورگه­ای Al۲O۳/PVP به روش سل-ژل در دمای ۸۰ درجه­ی سانتی­گراد سنتز شده­­­­­اند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، ۲۸/۰، ۵۶/۰ و ۸۴/۰ بوده است. برای بررسی ویژگی­های نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بیناب­سنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونه­ها با استفاده از روش GPS ۱۳۲ A محاسبه شدند. برپایه­ی نتایج بدست آمده بالاترین مقدار ثابت دی الکتریک در بسامد ۱۲۰ کیلوهرتز وابسته به نمونه­ی ریزنهشته با ترکیب وزنی ۲۸/۰ درصد از PVP(۳۵ =k ) و در بسامد ۱ کیلوهرتز وابسته به نمونه­ی ریزنهشته با ترکیب وزنی ۵۶/۰ درصد از PVP (۲۶ = k) است. بنابراین در فرکانس ۱۲۰ کیلوهرتز، نمونه­ی ریزنهشته­ با ترکیب وزنی ۲۸/۰ درصد از PVP به سبب برخورداری از ضخامت معادل اکسیدی بالاتر، میزان زبری کمتر، خواص اهمی و I-V بهتر و کوچکی اندازه ریزبلورک­ها (قطر شرر برابر با nm ۴۵)، و ثابت دی الکتریک بالاتر و در نتیجه جریان نشتی کمتر، به عنوان درگاه دی الکتریک در ترانزیستورهای اثر میدانی توصیه می­شوند.

کلیدواژه ها:

nanocomposites ، organic field effect transistor ، gate dielectric ، Sol-gel method. ، ریزنهشته ، ترانزیستور اثر میدانی آلی ، درگاه دی الکتریک ، روش سل-ژل.