مطالعه تبلور و تاثیر آلاینده ها بر ترکیبات ترموالکتریکی نیمرسانا با فرمول ۳(Bi۰.۲۵Sb۰.۷۵)۲Te

بررای کراربرد در سرردکننده هرای ترمروالکتریکی p بلوری نیمرسانا با خاصیت ترموالکتریک نوع (Bi۰.۲۵ Sb۰.۷۵)۲ Te ترکیب ۳ ۱۱-۶ ذوب و torr ۹۹ در کپسول کواتز در خرء / با درجه خلوص ۹۹۹ Te و ،Sb و ،Bi است. برای ساخت این تک بلور عناصر مورد نیاز به سرعت تا دمای اتاق سرد میکنیم. بدین ترتیب محلول جامدی از این عناصر تهیه میشود. به منظور بلوری کردن، محلول جامرد بره ۴۱۱ رشرد داده مر یشرود و بررای oC ۸ )سررعت حرکرت کرورهر در دمرای mm/h دست آمده، به روش رشد ناحیه ای با آهنگ رشرد ۰۴۱ به مدت ۴۷ ساعت تحت عملیات گرمایی قرار میدهیم. در این مقاله، فرایند رشد بلور و نقش مواد oC تنش زدایی نمونه ها در دمای تشکیل فازهای مرورد انتظرار را نشران ،X آلاینده در بهبود خواص ترموالکتریکی بررسی میشود. مطالعات ساختاری انجام شده با پرتو اسرت اده مر یشرود . بیشرتر ین ضرریب بهرره در حالرت بهینره SEM می دهد. بررای مشرخک کرردن کی یرت رشرد بلورهرا از ت راویر Z = ۳.۱۵۱۰-۳K-۱ به دست میآید.

کلیدواژه ها:

Crystal Growth ، thermoelectric Semiconductor ، Figure of merit ، Scanning Electron Microscopy ، رشد بلور ، نیمرسانای ترموالکتریک ، ضریب بهره ترموالکتریکی ، میکروسکوپ الکترونی روبشی.