سیستم ذخیره سازی چندمتغیره با استفاده ازممریستور
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 874
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_176
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
چکیده مقاله:
درطول سالهای زیادی تنها عناصرفعال پسیو که شامل مقاومت و سلف و خازن بودند شناخته شده بود درسال 1971 لئون چائو با استفاده از استدلال ثابت کرد که عنصرغیرفعال دیگری که نام آن ممریستور است وجود دارد پس از 37سال پژوهشگران شرکت HP قادربه ساخت اولین ممرستور شدندو جامعه الکترونیک را شگفت زده کردند چاو ثابت کرد که ویژگیهای ممریستور را با استفاده از مقاومت و سلف وخازن نمی توان شبیه سازی کرد و از این رو یک عنصربنیادی است بسیاری از مدارهای جدیدبا استفاده از ممریستور میتوانند ساخته شوند ممریستور می تواند سطوح مقاومتی داشته باشد بنابراین میتوان از تعدادی مقادیر گسسته به عنوان سطح منطقی متفاوت به عنوان سیستمهای چندمتغیره استفاده کرد دراین مقاله روشی برای دستیابی به سطوح مختلف نشان داده شده است با استفاده از این روش می توان آرایه ای از ممریستور را برای ساخت سیستم ذخیره سازی داده های چندمتغیره استفاده کرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
معصومه احمدیان
دانشجوی کارشناسی ارشد
علیرضا حسنی
کارشناس برق قدرت
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :