مطالعه عددی لایه نشانی شیمیایی بخار سیلیسیم در محیط پلاسما

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,061

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICHMT01_034

تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391

چکیده مقاله:

لایه نشانی شیمیایی بخار بکمک پلاسما یکی ازپرکاربردترین روش های لایه نشانی است که معمولا دردماهای کمتراز 350درجه سانتیگراد صورت میگیرد دراینروش بجای انرژی گرمایی از ذرات انرژی دار برای انجام واکنش استفاده می شود تالایه نشانی بتوانددردمای پایین و با سرعت قابل قبولی صورتگیرد دراین سیستم توان الکتریکی با ولتاژ نسبتا بالا و درفشارپایین برای یونیزه کردن گاز فراهم می شود که باعث شکستن مولکولهایگاز به الکترونها و یونها می شود درمقاله حاضر لایه نشانی فیلم نازک سیلیکن Si درراکتور PECVD شبیه سازی شده و فرایند تشکیل SI روی زیرلایه مورد بحث و بررسی قرارگرفته است ورودی راکتور گاز سیلان SiH4) بهعنوان گاز اصلی واکنش دهنده می باشد که محیط پلاسما را ایجاد م یکند دراین شبیه سازی محیط گازی را محیطی پیوسته جریان گاز را جریانی آرام و سرعت ورودی گاز را برابربا 0/1 متر برثانیه فرض کردها یمهمچنین ازاثرات تابش صرفنظر نموده و گازها را درمحیط پلاسما ایده آل درنظر میگیریم

کلیدواژه ها:

لایه نشانی به کمک پلاسماpecvd ، شبیه سازی ، سیلیسیم ، گاز سیلان

نویسندگان

کامل میلانی شیروان

گروه مکانیک،دانشکده مهندسی شهید نیکبخت،دانشگاه سیستان و بلوچستان

طاهره فنایی شیخ الاسلامی

گروه برق و الکترونیک،دانشکده برق و کامپیوتر،دانشگاه سیستان و بلوچست

امین بهزادمهر

گروه مکانیک،دانشکده مهندسی شهید نیکبخت،دانشگاه سیستان و بلوچستان

حسن آتشی

گروه شیمی،دانشکده مهندسی شهید نیکبخت،دانشگاه سیستان و بلوچستان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • 21 شهریور ICHMT2012، 1391 ...
  • 21 شهریور ICHMT2012، 1391 ...
  • Armaou Antonios, C., Panagiotis, D., (1999), :Plasma enhanced chemical vapor ...
  • Economou, D. J., Park, S., & Williams, G. D. (1989). ...
  • ع& [3] Layeillon, L., Dollet, A., Couderc, J. P. Despax, ...
  • Caquineau, H., & Despax, B. (1997). In#uence of the reactor ...
  • A CFD Model ءه Fellow, White, Daniel D.. 1994., for ...
  • Kim, y., Byungyou Hong, Jin-Hyo Boo, _ Youn J., 2005. ...
  • the flowfields in _ RF-PECVD reactor". Surface & Coatings Technology ...
  • Baek, J., Kim , Y., Boo, Jin-Hyo, . L., Jong- ...
  • Conde, J. P., Chan, K. K., BIum, J., Arienzo, M., ...
  • Kushner, M. J., 1987. _ On the balance between silylene ...
  • Ding, J., Zhao, Yazhi, Y., Ningyi, sh., Mingming, W., Chen, ...
  • Hamby, E.S., Demos, A.T., kabamba, P.T., Khargonekar, p.p., 1995. ":A ...
  • نمایش کامل مراجع