کاهش جریان دوقطبی در ترانزیستور اثرمیدان تونلی نانونوار ژرمانن با استفاده از همپوشانی گیت بر روی درین و کاهش میزان ناخالصی در ناحیه درین

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 86

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TJEE-49-4_009

تاریخ نمایه سازی: 27 تیر 1402

چکیده مقاله:

در این پژوهش، کاهش جریان دوقطبی در ترانزیستور تونلی نانونوار ژرمانن برپایه نظریه تابعی چگالی و روش تابع گرین غیرتعادلی مورد بررسی قرار می گیرد. در این راستا با استفاده از دو روش پیشنهادی یعنی استفاده از همپوشانی گیت برروی درین و همچنین کاهش میزان دوپینگ سمت درین نسبت به سورس، میزان کاهش جریان تونلی ناشی از حفره ها مورد شبیه سازی و مطالعه قرار می گیرد. نتایج به دست آمده با استفاده از نرم افزارهای کوانتوم اسپرسو و نانوتیکدویدز نشان دهنده این هستند که با امتداد طول گیت بر روی قسمتی از ناحیه درین، جریان دوقطبی کاهش می یابد که این کاهش جریان با افزایش طول همپوشانی بیشتر می­شود. از طرفی با کاهش میزان دوپینگ سمت درین نسبت به سورس مجددا کاهش جریان دوقطبی اتفاق می افتد. در ادامه با تلفیق هردو روش پیشنهادی مشاهده می شود که می توان به خوبی جریان دوقطبی را در این افزاره کاهش داد که این موضوع یک امر مهم در طراحی مدارات دیجیتال به حساب می آید.

نویسندگان

امیرحسین بیانی

پژوهشکده علوم و فناوری نانو - دانشگاه کاشان

داریوش دیدبان

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه کاشان

نگین معزی

دانشگاه فنی و حرفه ای - کاشان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • مهسا مهراد و میثم زارعی، «ارائه ساختار نوین ترانزیستور اثر ...
  • A. C. Seabaugh and Q. Zhang, “Low-Voltage Tunnel Transistors for ...
  • A. M. Ionescu and H. Riel, “Tunneling Field-Effect Transistors as ...
  • S. Saurabh and M. J. Kumar, “Estimation and Compensation of ...
  • M. J. Kumar and S. Janardhanan, “Doping-less Tunnel Field Effect ...
  • M. S. Ram and D. B. Abdi, “Single Grain Boundary ...
  • A. Chaudhry and M. J. Kumar, “Controlling Short-Channel Effects in ...
  • A. H. Bayani, D. Dideban, M. Vali and N. Moezi ...
  • D. B. Abdi and M. J. Kumar, “Controlling ambipolar current ...
  • H. J. Monkhorst and J. D. Pack, “Special points for ...
  • A. A. Mostofi, J. R. Yates, Y. Lee, I. Souza, ...
  • J. P. Perdew, K. Burke and Y. Wang. “Generalized gradient ...
  • J. P. Perdew, J. A. Chevary, S. H. Vosko, K. ...
  • E. Gnani, A. Gnudi, S. Reggiani and G. Baccarani, “Drain-Conductance ...
  • S. M. Sze and Kwok K. NG, Physics of semiconductor ...
  • A. Shaker, M. E. Sabbagh and M. M. El-Banna, “Influence ...
  • نمایش کامل مراجع