مطالعه خواص نوری لایه های نازک سولفید تنگستن بازپخت شده در محیط های مختلف شامل آرگون، آرگون/هیدروژن، آمونیاک/آب و اکسیژن

در این پژوهش، نانوساختارهای دی سولفید تنگستن به روش رسوب بخار شیمیایی گرمایی در کوره سه ناحیه ­ای بر روی زیرلایه­ های SiO۲/Si سنتز شدند. بدین منظور پودرهای گوگرد و اکسید تنگستن به ترتیب در ناحیه ­های اول و سوم در دماهای ۲۲۰ و ۱۱۰۰ درجه سانتیگراد تحت جریان گاز آرگون قرار گرفتند. جهت بررسی ریخت­ شناسی لایه­ های رشد یافته از میکروسکوپ الکترونی روبشی استفاده شد. تصاویر بدست آمده نشان دهنده رشد صفحات شش وجهی بود. سپس نمونه­ ها جهت بازپخت، در بوته­ ای در مرکز کوره تک ناحیه ­ای قرار داده شدند.  لایه­ های رشد یافته تحت گازهای مختلف آرگون، آرگون/هیدروژن، آمونیاک/آب و اکسیژن در دمای ۴۵۰ درجه سانتیگراد به مدت ۳۰ دقیقه دوباره پخت شدند. جهت بررسی اثر بازپخت، آزمون­های پراش پرتو ایکس، طیف سنجی رامان و طیف سنجی فرابنفش-مرئی انجام شد. نتایج حاکی از تاثیر محیط آرگون/هیدروژن بر روی بهبود خواص نوری و بلوری لایه ­های سنتز شده است.

کلیدواژه ها:

دی سولفید تنگستن ، رسوب بخار شیمیایی گرمایی ، خواص نوری ، عملیات حرارتی