بررسی اثر نواقص به صورت متقارن و نامتقارن بر روی خواص الکترونیکی گرافن با استفاده از نظریه تابعی چگالی

اساس این پژوهش بر پایه ی بررسی خواص الکترونیکی سیستم با ایجاد دو تهی جا بر روی سطح گرافن در حالتهای متقارن و نامتقارن در چارچوب نظریه تابعی چگالی و نرم افزار کوانتوم اسپرسو قرار گرفته است. نتایج نشان داد، ایجاد نقص همراه با برهم خوردن تقارن نسبت به حالت متقارن سیستم، از تاثیر عمده ای بر افزایش گاف نواری و تغییر خواص الکترونی سیستم برخوردار است.

کلیدواژه ها:

خواص الکترونیکی ، تهی جا ، نظریه تابعی چگالی ، کوانتوم اسپرسو ، گاف نواری