ترانزیستور TFET، ساختار فیزیکی عملکرد و بهترین حالت بهینه جریان و ولتاژ

اخیرا کوچک سازی ترانزیستورهای CMOS به اندازه های زیر ۱۰۰nm برای رسیدن به سرعت بیشتر با مشکلات زیادی افزایش سوئیچینگ جریان نشتی ،بالا اثرات کانال کوتاه و .... روبرو شده است از این رو ترانزیستور اثر میدان تونلی TFET یکی از بهترین نیمه هادی های در حال حاضر برای جایگزینی ترانزیستورهای اثر میدان MOSFET ،است در این مقاله ما با ایجاد تغییر در جنس ساختار ترانزیستور به بررسی حالتی بهینه جهت افزایش جریان دهی TFET در ولتاژهایی متفاوت میپردازیم.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان تونلی ، کانال ، سورس ، درین ، ژرمانیم ، سیلیسیوم