بهبود حاصلضرب مصرف توان در تاخیر نسبت جریان و فرکانس قطع ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با تغییر الگوی توزیع ناخالصی در درین
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 251
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNRTEE01_007
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی بهبود داده شده است برای مطالعه و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی از حل عددی خودسازگار معادله های پواسون شرودینگر و روش تابع گرین غیر تعادلی استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان مید دهد که در سمت درین با اعمال ناخالصی با غلظت کم نزدیک به کانال و با غلظت زیاد نزدیک به اتصال درین نسبت جریان روشن به خاموش افزاره افزایش مییابد علاوه بر این دو مولفه مهم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی حاصل ضرب توان در تاخیر (PDP) و زمان تاخیر (۷) نیز بهبود خواهند یافت. فرکانس قطع افزاره نیز در ساختار پیشنهادی بیشتر از ساختار پایه خواهد بود.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی ، جریان حالت خاموش ، حاصل ضرب توان در تاخیر ، روش تابع گرین غیر تعادلی
نویسندگان
علی نادری
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه بین المللی امام خمینی قزوین