سیستم ذخیره سازی چند متغیره با استفاده از ممریستور
محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 763
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_278
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
چکیده مقاله:
در طول سلهای زیادی تنها عناصر فعال (پسیو) که شامل مقاومت و سلف و خازن بودند شناخته شده بود. در سال 1971 لئون چائو با استفاده از استدلال ثابت کرد که عنصر غیر فعال دیگری که نام آن ممریستور است وجود دارد. پس از 37 سال پژوهشگران شرکت HP قادر به ساخت اولین ممریستور شدند و جامعه الکترونیک را شگفت زده کردند. چاو ثابت کرد که ویژگیهای ممریستور را با استفاده از مقاومت و سلف و خازن نمی توان شبیه سازی کرد و از این رو یک عنصر بنیادی است. بسیاری از مدارهای جدید با استفاده از ممریستور می توانند ساخته شوند. ممریستور می تواند سطوح مقاومتی داشته باشد، بنابراین می توان از تعدادی مقادیر گسسته به عنوان سطح منطقی متفاوت به عنوان سیستمهای چند متغیره استفاده کرد. در این مقاله روشی برای دستیابی به سطوح مختلف نشان داده شده است. با استفاده از این روش می توان آرایه ای از ممریستور را برای ساخت سیستم ذخیره سازی داده های چند متغیره استفاده کرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
معصومه احمدیان
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
علیرضا حسنی
کارشناس برق قدرت دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :