بررسی نویز در تقویت کننده های توزیع شده با قطعه فعال MESFET و(CMOS) MOSFET
محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,422
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_080
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
چکیده مقاله:
تقویت کننده های توزیع شده را می توان با ادوات فعالی مانند HEMT, MESFET, MOSFET, CMOS و ... پیاده سازی کرد. هر یک از این قطعات داری مشخصه های خاص مربوط به خود هستند. بررسی نویز در تقویت کننده های توزیع شده بستگی به نوع قطعه بکار گرفته شده به عنوان قطعه فعال دارد. به بیان دیگر هر قطعه فعال روابط نویزی مربوط به خود را دارا است. به همین دلیل یکی از مهمترین فاکتور ها جهت انتخاب نوع ترانزیستور در طراحی تقویت کننده های توزیع شده مسئله نویز قطعه فعال بکار گرفته شده است. در این بخش به بررسی و آنالیز مشخصه نویز تقویت کننده های توزیع شده برای 2 قطعه فعال MESFET و (CMOS) MOSFET که بیشترین کاربرد را در تقویت کننده های توزیع شده دارند می پردازیم. ابتدا به بررسی مشخصه نویز در تقویت کننده های توزیع شده که از MESFET به عنوان قطعه فعال استفاده شده است می پردازیم و روابط و نتایج مربوط به مشخصه نویز و رفتار نویزی این تقویت کننده ها را مورد بررسی قرار می دهیم. سپس مشخصه نویز در تقویت کننده های توزیع شده که از (CMOS)MOSFET به عنوان قطعه فعال استفاده شده است می پردازیم و روابط و نتایج مربوط به مشخصه نویز و رفتار نویزی این تقویت کننده ها را مورد بررسی قرار می دهیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حفظ الله محمدیان
شرکت مجتمع گاز پارس جنوبی
سعید ذاکری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد میناب
ام البنین زاهدی دوهویی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد میناب
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :