طراحی سوئچ های RF MEMS با خم مارپیچی و غشاء طلا به منظور کاهش ولتاژ تحریک
محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,233
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_054
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ساختار جدید برای سوئیچ های فرکانس رادیویی میکروالکترومکانیک جهت کاهش ولتاژ تحریک معرفی شده است. از آنجا که اصلی ترین مشکل در سوئیچ های RF MEMS ولتاژ تحریک بالا است نشان خواهیم داد که با طراحی سوئیچ ثابت- ثابت یا پل معلق خازنی با غشاء خم مارپیچی به کاهش ثابت فنری و در نتیجه ولتاژ تحریک کمتری دست خواهیم یافت. در ادامه از غشاء طلا نسبت به مس استفاده کرده و مجدداً به ولتاژ تحریک کاهش یافته، حدود 13% دست یافتیم که این نتایج با مقالات معتبر مورد مقایسه قرار گرفته و همچنین پیشنهادات فوق در فرکانس 1-40 گیگاهرتز با نرم افزار المان محدود (FEA) Intellisutie شبیه سازی شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سعید گودرزی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات قزوین
توحید زرگر ارشادی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات قزوین
مرضیه قلی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات قزوین
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :