بررسی لایه نشانی بخار شیمیایی آلی- فلزی و آخرین دستاوردها در این روش لایه نشانی

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 319

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ECICONFE07_060

تاریخ نمایه سازی: 31 فروردین 1402

چکیده مقاله:

یکی از مراحلی که در ساخت ادوات نیمه هادی مورد استفاده قرار میگیرد لایهنشانی است که روشهای مختلفی تا به امروز برای آن به وجود آمده است و MOCVD یکی از این روشها میباشد که فرایندی برای تولید ساختارهای چند لایه نیمه هادی پیچیده که در قطعات الکترونیکی یا اپتوالکترونیکی مانند LED ها و لیزرها و ترانزیستورهای سرعت بالا یا سلولهای خورشیدی استفاده میشود. از مزایای این روش میتوان نرخ رسوب بالا، راکتور ساده، امکان استفاده از مواد مختلف و فیلمهای با کیفیت بالا اشاره کرد و معایب آن درجه حرارت بالا، گازهای سمی، منابع گازی گرانقیمت و پیش ماده های خطرناک میباشد. دستگاه هایی که این روش به وسیله آنها انجام میشود شامل اجزای راکتور، پنل گاز و سیستم تخلیه هستند که راکتورها خود به دو دسته افقی و عمودی تقسیم میشوند و براساس این دو دسته انواع مختلفی از راکتورها تاکنون ساخته شده که برای ساخت ادوات نیمه هادی مختلف مورد استفاده قرار میگیرند.

نویسندگان

سیدمحمد علوی

دانشیار دانشگاه جامع امام حسین(ع)

علی عبدلی جمور

دانشیار دانشگاه جامع امام حسین(ع)