A Novel Si/SiGe Hetero Structure for Simultaneously Reduction of Bias Voltages and Off Current in Nanoscale I-MOS Devices
محل انتشار: دومین کنگره بین المللی علوم و فناوری نانو
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,697
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNN02_145
تاریخ نمایه سازی: 27 شهریور 1391
چکیده مقاله:
Scaling of Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is reaching its physical limits due to several phenomena including the theoretical limitation of subthreshold swing, which is due to thermal diffusion of carriers. In order to reduce the subthreshold swing, a new structure called IMOS (Impact Ionization MOS) was introduced by Gopalakrishnan et al. in 2002 [1]. Employing the impact ionization mechanism in IMOS devices necessitated use of large bias voltages which hampered device reliability and power consumption. Thus, challenges lie ahead primarily in reducing the breakdown voltage of IMOS device to enable further scaling of the supply voltages. Threshold energy is closely related to the bandgap energy. Thus, a fundamental solution for the breakdown voltage reduction is to use a small bandgap material. Earlier, we showed that, employing Si1-XGeX as a channel material leads to significant reduction in bias voltages for single gate IMOS structure [2]. However, this technique resulted in an increase in off-state current. The structure proposed in this paper not only allows further reduction in bias voltages, but also reduction in off-state current
نویسندگان
H Nematian
Device and Process Modeling and Simulation Lab., School of Electrical and Computer Eng., University of Tehran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :