مشخصه های اپتیکی دی کالکوژن های نیمه رسانا بر پایه مولیبدن

در سال های اخیر مواد لایه ای دو بعدی مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. دی کالکوژن های فلزات واسطه از جمله اینمواد هستند که به دلیل خواص تنظیم پذیرشان کاربردهای مختلفی از در جمله اپتوالکترونیک پیدا کرده اند. در این مقاله بااستفاده از برخی داده های تجربی. مدل تئوری برای تعیین مشخصه های اپتیکی دو دی کالکوژن نیمه رسانا بر پایه مولیبدنیعنی MoS۲, MoSe۲ ارائه شده است. نتایج شبیه سازی انجام شده در بازه انرژی ۱/۴eV تا ۳eV نشان می دهد که بیشترینضریب شکست برای تک لایه های این مواد به ترتیب n=۵/۲۱ در ۱/۴۷eV و n=۵/۸۰ در ۱/۷۷eV است. همجنین مقدارگاف نوری MoSe۲ برابر ۱/۵eV و گاف نوری (MoS(۲ برابر ۱/۷۹eV به دست آمد. بر طبق محاسبات افزودن بستر ۷۰۰نانومتری از ZnO زیر این تک لایه ها می تواند بدون تغییر قابل توجه در میزان جذب بازتاب را تا ۲۰ درصد افزایش دهد.

کلیدواژه ها:

دی کالکوژن فلزات واسطه ، (MoS(۲) ، MoSe(۲ مشخصه های ابتیکی ، مدل سازی۰