Design and Simulation of a Novel Hetero-junction Bipolar Transistor with Gate-Controlled Current Gain
محل انتشار: ماهنامه بین المللی مهندسی، دوره: 36، شماره: 3
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 157
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJE-36-3_001
تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1401
چکیده مقاله:
A new structure for SiGe Hetero-junction Bipolar transistor (HBT) is designed and simulated using Silvaco simulator. The considered extra terminal gives the ability to control the transistor's current gain. By applying voltage to the gate terminal, the base effective width would be controlled. Decrement of the Base width yields to the carrier recombination rate reduction, let the emitted electrons to have higher chance to reach the collector. Considering extra terminal have two approaches. One is to improve the current gain of the transistor by applying a constant voltage to the gate and the other is to modify the characteristics of the transistor in such a way that the current gain became optimized. The current gain of the transistor without any gate voltage is about ۵۰V, which increases to ۷۵۰ for high and ۵۰,۰۰۰ for low collector currents with the gate voltage variation consideration. In addition, our final proposed gate-controlled HBT with a large gate over the base and collector has the breakdown voltage of ۸V and the cut-off frequency of about ۱۱ GHz. The maximum FoM of ۱۲۰۰ is achieved using the proposed structure.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
A. Hoonan Mehrabani
Electrical Engineering Department, Shahrood University of Technology, Shahrood, Iran
A. Fattah
Electrical Engineering Department, Shahrood University of Technology, Shahrood, Iran
E. Rahimi
Electrical Engineering Department, Shahrood University of Technology, Shahrood, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :