Simulation of the Process of LDMOS Transistor Manufacture and Optimizing it to Increase the Current of Work

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 182

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_MJEE-11-4_005

تاریخ نمایه سازی: 15 اسفند 1401

چکیده مقاله:

This paper presents the simulation of the process of LDMOS transistor manufacturing by using Silvaco software and by relying on the ability of calculating the basic parameters of transistor dependencies, focusing on the optimization of the manufacturing process in order to increase the current of work. The simulation of manufacturing process of this type of transistor which is a base for its real manufacturing is of the utmost importance. By using this simulation and reviewing each parameter, we can achieve the optimized manufacturing process by focusing each basic parameter and by paying attention to its required application. In order to design, we first define the construction procedures and the necessary processes using the Athena simulator, and then we use the Atlas device simulator to acquire electrical parameters.

نویسندگان

Payman Bahrami

Department of Electrical Engineering, Yazd Branch, Islamic Azad University, Yazd, Iran

Mohammad Reza Shayesteh

Department of Electrical Engineering, Yazd Branch, Islamic Azad University, Yazd, Iran

Mohammad Eslami

Department of Electrical Engineering, Yazd Branch, Islamic Azad University, Yazd, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Nemati, H. M., Fager, C., Thorsell, M., &Zirath, H. (۲۰۰۹). ...
  • Kumar, M. J., &Bansal, A. (۲۰۱۲). Improving the breakdown voltage, ...
  • Kwon, T. H., Jeoung, Y. S., Lee, S. K., Choi, ...
  • Haynie, S., Gabrys, A., Kwon, T., Allard, P., Strout, J., ...
  • Kwon, H., Kim, M. S., & Yang, Y. (۲۰۰۹, February). ...
  • Sithanandam, R., & Kumar, M. J. (۲۰۰۹). Linearity and speed ...
  • Son, M. H., Bae, S., Park, H., & Kwon, H. ...
  • Wu, L., Zhang, W., Shi, Q., Cai, P., & He, ...
  • Curtice, W., Curtice, W. R., Dunleavy, C. L., Clausen, W., ...
  • Ramarao, B. V., Mishra, J. K., Pande, M., Singh, P., ...
  • Min-Hwan Kim, Jong-Jib Kim, Young-Suk Choi, Chang-Ki Jeon,Sung-Lyong Kim, Hyun-Soon ...
  • Hu, B., Lee, H. S., Edwards, H. L., Lin, J., ...
  • Ming-Jiang Zhou and A.VAN CALSTER,A Breakdown Voltage Model for Implanted ...
  • Sung-Lyong Kim, Hie-Yoon, Yang-ikChoi,Sang-Koo Chung and Min-Koo han,A Low On-Resistance ...
  • Bart Van Zeghbroeck, Principles of Semiconductor Devices, Ed.:Prentice Hall, ۲۰۰۸ ...
  • B. BaligaJayant, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, Ed.: Springer Science, ...
  • نمایش کامل مراجع