طراحی یک تقویت کننده ی کم نویز با پهنای باند ۱۰ گیگاهرتز در تکنولوژی ۱۸.۰µm CMOS

در این مقاله یک تقویت کننده ی کم نویز دو طبقه با پهنای باند بسیار بالا (UWB) ارائه شده است . طبقه ورودی دارای مشخصه گیت مشترک می باشد، بنابراین علاوه بر تطبیق امپدانس ورودی ، نویز در فرکانس های بالا به شدت افزایش نمی یابد. با ترکیب طبقه های سورس مشترک و گیت مشترک و استفاده از فقط دو سلف ، مشخصه های پهن باند وسیع و مساحت کوچک حاصل می گردد. این LNA در تکنولوژی ۰.۱۸ µm CMOS طراحی شده است . بهره ی توان حاصل بین ۱۱.۲-۱۲.۴ dB، عدد نویز بین ۴.۴ -۶.۵ dB و پهنای باند بین ۳.۴-۱۰ GHZ می باشد. توان مصرفی این تقویت کننده با یک منبع ولتاژ ۸.۱ ولت فقط ۱۲ mW می باشد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، فرا پهن باند ، طبقه ی سورس مشترک و گیت مشترک.