تاثیر PH بر روی لایه نشانی الکتروشیمیایی لایه های نازکنیکل روی (111) Si+n

رسوب دهی لایه های نازکدر طول یکقرن گذشته موضوع بسیاری از تحقیقات و مطالعات بوده است. کنترل دقیق روی نشست الکتروشیمیایی نیازمند داشتن اطلاعات کافی در مورد جوانه زنی و رشد لایه هایی است که می توانند بوسیله تکتینک های لایه نشانی مطالعه شوند. در این تحقیق، ما تأثیر PH را بر روی جوانه زنی و رشد نیکل از حمام های وات با PH مختلف بر روی (111) Si+n مورد مطالعه قرار داده ایم. نتایج ولتامتری سیکلی و جریان گذرا ثبت شده در طی لایه نشانی الکتروشیمیایی نیکل روی (111) Si+n برای ارزیای نشست الکتروشیمیایی نیکل استفاده شده است. نتایج نشان دادند که نیکل از پتانسیل اسمی 0.7V- شروع به رشد بر روی (111) Si+n می کند. با افزایش سرعت جاروب، منحنی های ولتامتری سیکلی باعث انتقال پیک های احیای نیکل به سمت مقادیر منفی تر می شوند. نتایج نشان دادند که با کاهش PH، جوانه زنی با سرعت بیشتری صورت گرفته، در نتیجه جوانه های ریز کمتر از 100nm بدست آمده است. ما منحنی های بدون بعد را برطبق تئوری شریفکر- هیلز رسم کرده ایم و یک مکانیزم جوانه زنی و رشد آنی برای نیکل بر روی (111) Si+n بر اساس شرایط این آزمایش برآورد کرده ایم.

کلیدواژه های تاثیر PH بر روی لایه نشانی الکتروشیمیایی لایه های نازکنیکل روی (111) Si+n:

نیکل ، لایه نشانی الکتروشیمیایی ، جوانه زنی و رشد ، تئوری شریفکر-هیلز ، (111) Si+n