ایجاد ریز ساختار هدفمند در آلیاژ هیپویوتکتیک Al- 11wt.% Mg2Si با استفاده از روش ریخته گیری گریز از مرکز

یکی از روشهای ایجاد ناهمگنی هدفمند در ریز ساختار مواد ، روش ریخته گری گریز از مرکز است که در آن نیروی گریز از مرکز منجر به توزیع درجه بندی شده ای از فازهای ریز ساختاری در حین ریخته گری و انجماد می شود. بر این اساس ، در این تحقیق با آماده سازی مذاب هیپویوتکتیک با ترکیب Al- 11wt.% Mg2Si و ریخته گری گریز از مرکز آن ، استوانه هایی با شیب ترکیبی و فازی در راستای شعاعی ریخته گری شدند . با بررسی ریز ساختار استوانه های ریختگی در جهت شعاعی دو لایه متمایز ریز ساختاری به ترتیب با کسر حجمی بالای دانه های α-Al در سطوح خارجی و درصد بالای ریز ساختار یوتکتیکی Al/Mg2Si در سطوح داخلی قابل تشخیص بودند. در مرحله بعد ، نمونه های ریخته شده در دمای 530 درجه سانتیگراد به مدت 10 ساعت محلول سازی شده و پس از کوئیچ در آب ، به مدت 8 ساعت در 175 در جه سانتیگراد پیر سازی شدند. بررسی ریز ساختار نمونه ها نشان می دهد که عملیات حرارتی باعث تبدیل ذرات Al/Mg2Si لایه ای موجود در ساختار یوتکتیکی سطوح داخلی به ساختار ریز شبه یوتکتیکی نقطه ای می شود. مکانیزم تشکیل چنین ساختار مرکب یوتکتیکی موضوعی است که در مقاله به آن پرداخته می شود.

کلیدواژه ها:

مواد هدفمند ، آلیاژ هیپویوتکتیک Al-11wt.%Mg2Si ، ریخته گری گریز از مرکز ، ریز ساختار درجه بندی شده