بررسی خواص الکترومغناطیسی کامپوزیت Si۳N۴/BAS/BN تف جوشی شده به روشپلاسمای جرقه ای

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 193

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICC13_086

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1401

چکیده مقاله:

نیترید سیلیسیم دارای خواص مطلوب مکانیکی و خواص الکترومغناطیسی است. بدلیل ضریب دیالکتریک و تانژانت اتلاف پایین در دسته مواد شفاف امواج الکترومغناطیسی طبقه بندی شده و کاندیدای مناسبی برای ساخت تجهیزات مخابراتی محسوب میشود. تفجوشی نیترید سیلیسیم بدلیل ضریب نفوذ در خود پایین و پیوندهای کووالانسی قوی، با مشکلات فراوانی همراه است. در این پژوهش کامپوزیت سازی نیترید سیلیسیم با نیترید بور/ آلومینوسیلیکات باریم (Si۳N۴/BAS/BN) با نسبت وزنی ۷۰ به ۳۰ درصد وزنی به روش تف جوشی پلاسمای جرقه ای (SPS) انجام شد. نیترید بور به عنوان ماده شفاف امواج الکترومغناطیسی در پنجره آنتن ها کاربرد فراوان دارد. این ماده در مقادیر میزان ۳، ۶ و۹ درصد وزنی به کامپوزیت اضافه شد. برای ترکیبات مختلف دارای صفر، ۳، ۶ و ۹ درصد وزنی نیترید بور، میانگین ضریب دی الکتریک به ترتیب با مقادیر ۶، ۵,۲، ۶,۲ و ۷,۱ H/ m و میانگین تانژانت اتلاف به ترتیب ۰,۰۰۲، ۰,۰۰۲، ۰,۰۰۴ و ۰,۱ در فرکانسهای باند X، با آزمون تحلیلگر شبکه بردار فرکانس رادیویی (VNA) اندازه گیری شد. بررسی های ریزساختاری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی و آنالیز فازی توسط پراش پرتو ایکس نشان داد که افزودن BN بیش از ۳ درصد وزنی باعث رشد بیشتر دانه های β-Si۳N۴ با مکانیزم انحلال، نفوذ و رسوب گذاری (SDP) شده و و منجر به افزایش ضریب دی الکتریک و تانژانت اتلاف میشود. نمونه بهینه P۵۰BN۳ حاوی ۳ درصد وزنی BN که تحت فشار مکانیکی نهایی ۵۰ مگاپاسکال زینتر شده با تانژانت اتلاف ۰,۰۰۲ در %۳۸ فرکانسهای باند X خواص الکترومغناطیسی بهتری از خود نشان داد.

نویسندگان

سیدسلمان سیدافقهی

دانشیار مرکز مواد پیشرفته و نانو فناوری و رئیس دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه جامع امام حسین (ع)

فرشاد سلیمانی

استادیار گروه مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه ملایر

فرهود حیدری

دانشجوی دکتری و پژوهشگر مرکز مواد پیشرفته و نانو فناوری دانشگاه جامع امام حسین (ع)

احسان شاه محمدی

دکتری و پژوهشگر مرکز مواد پیشرفته و نانو فناوری دانشگاه جامع امام حسین (ع)