نقش میکروسکوپ همکانونی در ساخت و بهینه سازی لایه های SnO۲:F به روش UMVD

لایه های نازک رسانای شفاف FTO (فلوراید تین اکسید) با سطح یکنواخت بر روی بستر شیشهای با روش لایه نشانی بخار مرطوب مافوق صوت (UMVD) سنتز شد.در این مقاله با استفاده از میکروسکوپ همکانونی (کانفوکال) به بررسی سنتز و بهینه سازی لایه های پرداخته شد. ساختار ریخت شناسی، خواص نوری و الکتریکی فیلم ها مورد بررسی قرار گرفت.پارامترهای مختلفی رشد از قبیل غلظت پیش ماده و سرعت نوسان بازو دستگاه لایه نشانی در بیان ولتاژ برای رشد لایه FTO بررسی شد. ریخت شناسی سطحی یکی از مهمترین عوامل در لایه های نازک است که توسط آنالیز غیر مخرب میکروسکوپ همکانونی، ریخت شناسی بهینه برای لایه های FTO بدست آمد. در نهایت مقاومت کمینه ۱۰ Ωدر دمای رشد ۴۰۰ C و ولتاژ ۹ V برای این لایه ها ایجاد شد.

کلیدواژه ها:

FTO ، میکروسکوپ همکانونی ، UMVD ، رسانای شفاف