بهبود ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو با جاسازی ناحیه بدون ناخالصی و استفاده از ماده نیترید سیلیسیم در ناحیه مدفون برای بهبود اثر خود گرمایی

این مقاله، طرح نوینی برای ساختار ترانزیستورهای ماسفت در مقیاس نانو در فناوری سیلیسیم روی عایق به منظور راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می نماید. ایده اصلی در ارائه این ساختار جدید، استفاده از ماده نیترید سیلیسیم است که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم می باشد و نیز به کمک شبیه سازی دو بعدی اتلس، عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان ، سیلیسیم روی عایق ، پدیده خود گرمایی ، دمای شبکه ، تحرک حامل