الکترونیک مبتنی بر گرافن

سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 437

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ACSMS01_013

تاریخ نمایه سازی: 16 آبان 1401

چکیده مقاله:

چالشهای فزآیندهای که با تغییر مقیاس در فناوری فناوری اکسید فلز نیمه هادی مکمل((CMOS پدیدار میگردد، محققان را به سوی توسعه فناوریهای جایگزین و یا مکمل برای مدارات مبتنی بر سیلیسم هدایت میکند. بدین منظور ادوات مقیاس نانوی سیلیسیمی و غیرسیلیسیمی متعددی تا کنون پیشنهاد و مورد مطالعه قرار گرفته است، اما در این میان نانوالکترونیک مبتنی بر کربن به دلیل روشهای ساخت سازگار با فنآوری CMOS مورد توجه خاص میباشند. گرافن به دلیل ساختار دوبعدی مسطح و در نتیجه امکان طراحی ادوات و مدارات با روشهای پردازش استاندارد نسبت به نانولوله های کربنی برتری دارد. گرافن با داشتن ضخامت یک اتم، به دلیل ویژگیهای الکترونیکی و نوری مناسب، محققان بسیاری را در سراسر دنیا به سمت خود جلب کرده است. گرافن، قابلیت تحرک فوقالعاده زیاد و مقاومت ویژه بسیار کمی دارد بنابراین قابلیت به کارگیری به عنوان کانال در ترانزیستورهای با سرعت بالای جدید و آن سوی تکنولوژی سیلیسیم را دارد. در سالهای اخیر، ترانزیستورهای اثرمیدانی گرافنی((GFETs به دلیل محدوده فرکانسهای گذر تراهرتز و در نتیجه قابلیت زیاد برای الکترونیک فرکانس بالا و سریع بسیار مورد توجه هستند. همچنین مدلسازی دقیق ادوات GFET به منظور بررسی عملکرد و نیز طراحی مدارات مبتنی بر آنها صورت گرفته است. در این مقاله ویژگی های این مواد در جهت کاربرد در الکترونیک و به ویژه ساخت ترانزیستورها مورد بررسی قرار گرفته است.

نویسندگان

علی صفری

استادیار، گروه مهندسی برق، واحد اسلامشهر، دانشگاه آزاداسلامی، اسلامشهر، ایران،

علیرضا فرزانه

استادیار، گروه مهندسی برق، واحد اسلامشهر، دانشگاه آزاداسلامی، اسلامشهر، ایران،