Modelling the Effect of 1 MeV Electron Irradiation on the Performance Degradation of a Single Junction AlxGa1-xAs/GaAs Solar Cell
محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,288
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_186
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
We have modelled the effect of 1 MeV electron irradiation on the performance degradation of a single junction AlxGa1-xAs/GaAs solar cell. The irradiation-induced defectsresult in energy states within the energy gap of the semiconductors. In this paper, we first model the effect of 1 MeV electron irradiation for the electron fluences from 1×1014to 1×1016 e/cm2 using the parameters of the irradiation-induced defects on the performance degradation of a solar cell. Then wepresent the results of a study for the effect of the layer thickness on the performance degradation of the solar cell. We will showthat by choosing appropriate thickness for the layers, it is possible to considerably reduce the performance degradation ofthe solar cell
کلیدواژه ها:
Electron irradiation ، Performance degradation ، Single junction AlxGa1-xAs/GaAs solar cell ، Irradiation-induced defects
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :