کنترل رشد نانوسیم های اکسید روی دردمای پایین به روش رسوب حمام شیمیایی

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,480

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE19_597

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391

چکیده مقاله:

دراین مقاله رشد نانوسیم های اکسید روی ZnO) دردمای پایین به روش رسوب حمام شیمیایی CBD برروی زیرلایه های سیلیکون تحت شرایط مختلف مورد بحث و بررسی قرارگرفته است نتایج نشان داد که تحت شرایط مناسبی از نظر دمایی و غلظت محلول نانوسیم های اکسید روی ZnO) با ساختار شش ضلعی wurtzite کاملا چگال و عمودی باید یکنواخت برروی زیرلایه رشد کرده اند تاثیر غلظت محلول دما و زمان برروی مورفولوژی وابعاد نانوسیم ها بطور سیستماتیک مورد بررسی قرارگرفت مکانیزم رشد متاثر از پارامترهای قابل کنترل برمحلول طی فرایند شیمیایی رشد نانوسیم ها مورد بررسی قرارگرفته است تاثیر پارامتر زمان رشد برروی خواص لومینسانس نانوسیم های اکسید روی که درشرایط بهینه رشد داده شده اند مورد بررسی قرارگرفته اندمطالعه فتولومینسانس نمونه ها وجود نقایص ساختاری را نشان میدهد با این وجود نانوسیم های اکسید روی کهدردمای پایین و به روش بسیار آسان رشد یافته اند از کیفیت اپتیکی بسیار خوبی برخوردار هستند.

نویسندگان

فاطمه دهقان نیری

آزمایشگاهی تحقیقاتی لایه هاینازک گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه