افزاره های سیلسیمی تحت تنشSiGe/ بدون تنش برای بهبود پارامترهای افزاره های اثر میدانی بر روی عایق
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,123
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_541
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
به منظور بهبود افزاره های اثر میدانی بر روی عایق SOI)سیلسیم تحت تنشSi0.8Ge0.2بدون تنشStrained Si/ Si0.8Ge0.2 به عنوان جایگزینی برای سیلسیم مورد بررسی قرار گرفته است . به لحاظ قابلیت حرکت بالای الک ترون در سیلسیم تنش یافته کارایی افزاره در حوزهRFبهبود می یابد نتایج حاصل از شبیه سازی در این مقاله حاکی از آن است که فرکانس قطع افزاره سیلسیمی تحت تنش تا حدود % 19 نسبت به ساختار مشابه بدون تنشبهبود می یابد.با این وجود معلوم شده است که افزاره های سیلسیمی تحت تنش/ Si0.8Ge0.2بدون تنش بر روی عایق تک گیتیIoff نسبتا بزرگی دارند . از اینروافزاره های سیلسیمی تحت تنش/Si0.8Ge0.2 بدون تنش بر روی عایق دو گیتی مورد بررسی قرار گرفته است. در افزاره دو گیتی با طول کانال برابر با افزاره تکگیتی، به علت افزایش کنترل گیت بر روی کانال، جریان نشتی کاهش یافته است. بعلاوه ه پارامترهایDC و ACافزاره های سیلسیمی تحت تنش/Si0.8Ge0.2 ترانزیسستور تک گیتی ونیز ترانزیستور دوگیتی مورد بررسی قرار گرفته شده است و با افزاره های سیلسیم بدون تنش مشابه مقایسه شده است
کلیدواژه ها:
افزاه سیلیسیم بر روی عایق ، ترانزیستور اثر میدانی برر روی عایق دوگیتی ، سیلیسیم تحت تنش ، فرکانس قطعSiGe
نویسندگان
مرتضی فتحی پور
پردیس فنی دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، آزمایشگاه شبیه سازی و
سمیرا امیدبخش
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :