Analysis of a Source Hetrojunction LDMOS Device with Strained Silicon Channel
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,100
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_211
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
In this paper we propose a novel power MOSFET employing a source and drain hetrojunction as well as a thin strained silicon layer at the top of the channel and N-Drift regions. We discuss the physics involved in the operation of this device. Analysis using a 2D device simulator indicates improvements of 36.6%, 22.6% and 10% in current drivability, transconductance and cut off frequency respectively as compared with the traditional LDMOS structure. However, these improvements are accompanied by a suppression of 10% in the break down voltage
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Vala Fathipour
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :