بررسی و شبیه سازی اثرتغییرات آلایش سورس و درین برعملکرد دیود اثرمیدانی نانومتری

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 997

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE19_097

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391

چکیده مقاله:

هدف این مقاله بررسی اثرتغییرات میزانآلایش سورس و درین با عملکرد دیود اثرمیدانی اصلاح شده Modified-FEDاست ساختار این دیود مشابه با یک MOSFET می باشد بطوریکه الایش سورس و درین آن متفاوت بوده و از هر دو آلایش نوع p,n تشکیل شده و همچنین دارای دو گیت برروی کانال است این افزاره قابلیت روشن وخاموش شدن با ولتاژ گیت ها را دارد نتایج حاصل از شبیه سازی این افزاره با استفاده ازنرم افزار ise-TCAD نشان میدهد که این افزاره با قابلیت ترانزیستوری با اعمال ولتاژ حالت خاموشی جریان بسیار اندکی را عبور میدهد به منظور یافتن میزان بهینه آلایش سورس و درین این افزاره درآلایش های 17 10 و 19 10 و 21 10cm-3 شبیه سازی شده و نتایج حاصله دراین مقاله ارایه شده است از این رو مشخصه جریان پروفایل چگالی حامل ها نوارهای انرژی و همچنین موبیلیتی حامل ها مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که بهینه مقدار آلایش سورس و درین برای چنین ساختاری 21 10 cm-3 می باشد که درآن نسبت Ion/Ioff افزاره از مرتبه بزرگی 5 10 بوده که مقدار قابل توجهی به شمار می اید

نویسندگان

نگین معنوی زاده

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

ابراهیم اصل سلیمانی

آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک و نانوالکترونیک دانشگاه تهران

مهدی پورفتح

انیستیتو میکروالکترونیک دانشگاه صنعتی وین

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ _ _ the reverse short channel effect in ...
  • _ _ B. Meinerzhagen, "Efficient full-band monte carlo simulation of ...
  • _ _ _ _ _ Workshop on _ electronics, ...
  • _ _ results for nanoscale fied effect diode, " IEEE ...
  • F. Raissi and I. Sheikhian, :Nano-scale trainsistor device with _ ...
  • S. Cao, A. A. Salman, J. -H. Chun, S. G. ...
  • S. Cao, T. W. Chen, S. G. Beebe and . ...
  • _ _ _ 1582-1586, 2009. ...
  • _ _ _ _ _ ISDRS 2009, College Park, MD, ...
  • F. Jazayeri, B. Forouzandeh and F. Raissi, "Low-power variable gain ...
  • F. Jazayeri, S. S _ leimani-Amori, B. Ebrahimi, B. Forouzandeh, ...
  • Design and Test workshop 2008, IDT 2008. 3rd International, pp. ...
  • _ _ _ and investigation of Modified Field Effect Diode ...
  • _ _ _ performance, ; Proc. IUMRS-ICEM 2010, Seoul, Korea, ...
  • نمایش کامل مراجع