طراحی مرجع ولتاژ شکاف انرژی (Bandgap Voltage References ) با اصلاح انحنای. مرتبه دوم در ولتاژهای پایین و در تکنولوژی استاندارد TSMC ۰.۱۸µm CMOS

مراجع ولتاژ یک بلوک اساسی در بسیاری از کاربردهای فرکانس رادیویی و mixed-signal ، برای مثال مبدل های داده، PLLها و مبدل های توان می باشد. پراستفاده ترین پیاده سازی CMOS برای مراجع ولتاژ به علت پیش بینی پذیری و وابستگی کم به ولتاژ تغذیه و دمای کاری، مدار شکاف انرژی است. در این مقاله، مراجع ولتاژ شکاف انرژی را مورد بررسی قرار می دهیم. توپولوژی های مربوط که معمولا برای پیاده سازی مراجع ولتاژ شکاف انرژی به کار گرفته می شوند، بحث و بررسی شده اند و محدودیت های این ساختارها مورد بحث قرار گرفته اند. در این مقاله در مورد مراجع ولتاژ شکاف انرژی با اصلاح انحنای مرتبه اول و اصلاح انحنای مرتبه دوم در ولتاژ و توان پایین بحث و بررسی شده است. برای تایید کار ما مراجع ولتاژ شکاف انرژی با استفاده از تکنولوژی استاندارد TSMC ۰.۱۸ μm CMOS طراحی شده اند و نتایج شبیه سازی با کارهای پیشین مقایسه گردیده اند.