A Numerical Simulation of the Static Volt-Ampere Characteristics of the Field Effect Diode

سال انتشار: 1382
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,496

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE11_134

تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1391

چکیده مقاله:

The previously proposed Field Effect Diode (FED) has been more accurately studied and its forward I-V curve has been extracted numerically by solving the Poisson and continuity equations. In addition to the ability of modulating diode current by a capacitive coupled gate voltage, the simulation shows that the device has both positive and negative transfer conductance. This unique feature could have numerous circuit applications in various areas.

نویسندگان

Farhad Taghibakhsh

EE Dept, Azad University of Kerman

Farshid Raissi

EE Dept, K.N.Toosi University of Technology

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • F. Raissi, "A Brief Analysis of the Field Effect Diode ...
  • F. Raissi and J E. Nordman, "Josephson Fluxonic Diode, " ...
  • E. S. Yang, "Fu ndamentals of Sem iconductor Devices" McGrow-Hill ...
  • B. G. Streetma, Solid State Electronic Devices. 3" ed.. Englewood ...
  • Sheikhian, I, Raissi, F. "High-speed digital family using field effect ...
  • Steve Bush, "Replacing MOSFETS with FEDs gives faster, lower power ...
  • th ICEE, May 2003, Vol. 1 ...
  • نمایش کامل مراجع