مبدل ZCS سه سطحی تشدیدی ترکیبی مبتنی بر ترانسفورماتور دوگانه

سال انتشار:

1401

نوع سند:

مقاله کنفرانسی

زبان:

فارسی

مشاهده:

114

فایل این مقاله در 21 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EMAE01_069

تاریخ نمایه سازی: 7 شهریور 1401

چکیده مقاله:

یک مبدل سه سطحی تشدیدی ترکیبی شامل ترانسفورماتورهای دوگانه در این مقاله ارائه می شود که برای استفاده از توان فتوولتائیک پراکنده با دسترسی به شبکه توزیع dc ولتاژ متوسط مناسب است. مبدل پیشنهادی می تواند بوسیله افزودن یک مدار کنترل به مدار سه سطحی TL نقطه خنثی سنتی کلمپ شده NPC به دست آید که این منجر به یک مدار TL اساسی عمل کننده با یک چرخه کاری ثابت می شود. مدولاسیون پهنای پالس PWM برای مدار کنترل برای تحقق کلیدزنی های جریان صفر در مدار IT اساسی اتخاذ می شود که بیشتر توان را در محدوده بار کامل انتقال می دهد. در نتیجه، اتلاف کلیدزنی مبدل می تواند بطور قابل توجهی کاهش یابد. تاثیرات نسبت دورهای دومین ترانسفورماتور و ظرفیت تشدید بر جریان کلید، مقدار پیک ولتاژ تشدید و مقدار القایش تشدید بطور دقیق بحث شده و اصول طراحی پارامترها مطرح می شوند. در نهایت، یک نمونه اولیه برای اعتبارسنجی عملکرد مبدل پیشنهادی ساخته می شود

نویسندگان

امیرشاطری
امیر شاطری

دانشجوی کارشناسی پیوسته مهندسی برق، موسسه آموزش عالی آپادانا ، شیراز، ایران

امیر حسینمعدلی
امیر حسین معدلی

استادیار گروه مهندسی برق ، موسسه آموزش عالی آپادانا، شیراز، ایران