Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

طراحی تقویت کننده یک طبقه توان بالا و فرکانس بالا در کلاس F با دو ترانزیستور موازیGaN برای کاربردهای ۲.۵GHz

سال انتشار: 1401
کد COI مقاله: JR_JCEJ-11-44_006
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 42
فایل این مقاله در 18 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 18 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله طراحی تقویت کننده یک طبقه توان بالا و فرکانس بالا در کلاس F با دو ترانزیستور موازیGaN برای کاربردهای ۲.۵GHz

باقر ذبیحی - موسسه آموزش عالی سراج، تبریز، ایران
پیمان علیپرست - پژوهشگاه هوافضا، تهران، ایران
ناصر نصیرزاده - موسسه آموزش عالی سراج، تبریز، ایران

چکیده مقاله:

در این مقاله یک تقویت کننده توان فرکانس بالا در کلاس F  مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت ۱۵۰ نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت کننده ۲/۵ گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویت کننده مورد نظر تقریبا برابر با  dB۱۲/۷۶ است و در یک طبقه طراحی شده است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت­ کننده توان حدود dBm۳۹/۱۹۶ در توان ورودی dBm۳۰ است. در بیشترین توان خروجی ، PAE حدود ۴۱/۲۵% است که بیشترین مقدار خود را دارد. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراشه ۲۵/۹۰۳ میلیمتر در۱۹/۳۴۶ میلیمتر است. بیشترین مقدارAM/PM و AM/AM به ترتیب برابر dB/deg۲/۳۸ و dB/dB۱/۶۶ است. برای تقویت کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD۳) حدود dBc-۲۰ در فرکانس مرکزی است. برای طراحی این تقویت کننده از تحلیل Loadpull نرم افزار ADS برای بدست آوردن توان خروجی مناسب استفاده شده است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده توان بالا فرکانس بالا ، مدارهای مجتمع مایکروویو یکپارچه ، پروسه گالیم نیتراید

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا JR_JCEJ-11-44_006 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/1494518/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
ذبیحی، باقر و علیپرست، پیمان و نصیرزاده، ناصر،1401،طراحی تقویت کننده یک طبقه توان بالا و فرکانس بالا در کلاس F با دو ترانزیستور موازیGaN برای کاربردهای ۲.۵GHz،https://civilica.com/doc/1494518

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1401، ذبیحی، باقر؛ پیمان علیپرست و ناصر نصیرزاده)
برای بار دوم به بعد: (1401، ذبیحی؛ علیپرست و نصیرزاده)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • D. Kalim, A. Fatemi and R. Negra, "Dual-band ۱.۷ GHz ...
  • M. Chen, C. Shih, W. Chang and C. Lien, "A ...
  • Y. S. Noh and I. B. Yom, "Highly Integrated C-Band ...
  • A. Rezaee, "Design of C-Band Solid State Power Amplifier in ...
  • N. Deltimple, M. L. Carneiro, E. Kerhervé, P. H. P. ...
  • A. Jindal, U. Goyal, K. Rawat, A. Basu, M. Mishra ...
  • P. Aflaki, R. Negra and F. M. Ghannouchi, "Design and ...
  • A. Sheikhi and A. Sajadi, " Design, Simulation and Fabrication ...
  • D. Kang, J. Choi, D. Kim, D. Yu, K. Min ...
  • Paolo Colantonio, Franco Giannini, and Ernesto Limiti., High Efficiency RF ...
  • B. Razavi ” RF microelectronics”۲nd-ed, Prentice Hall, ISBN: ۹۷۸-۰۱۳-۷۱۳۴۷۳-۱, ۲۰۱۱ ...
  • P. Aliparast, S. Aliparast, “design of soild state high power ...
  • H. Li, D. Zhu and D. Liu, "Simulation and design ...
  • O. Jardel et al., "A ۳۰W, ۴۶% PAE S-band GaN ...
  • J. Kühn. “AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for ...
  • F. Raab, "Idealized operation of the class E tuned power ...
  • Yong-Sub Lee, Kye-Ik Jeon and Yoon-Ha Jeong, "A ۲.۱۴ GHz ...
  • A. H. Jarndal,“Large Signal Modeling of GaN Device for High ...
  • F. Giannini, and E. Limiti,“High Efficiency RF and Microwave Solid ...
  • Gonzalez, Gullermo. “Microwave Transistor Amplifiers Analysis and Design’’ ۲nded, Prentice ...
  • D. Barataud et al., "Measurement and control of current/voltage waveforms ...
  • D..M. Pozar” Microwave Engineering” , ۴nd-ed , Willy, ISBN: ۹۷۸-۰-۴۷۰-۶۳۱۵۵-۳, ...
  • M. Albulet” RF Power Amplifiers” NOBLE, ISBN: ۱-۸۸۴۹۳۲-۱۲-۶, ۲۰۰۱ ...
  • Kühn, Jutta. AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for ...
  • R. Raja, R. Theegala and B. Venkataramani, “A class-E power ...
  • N. Khalid, T. Abbas and M. Bin Ihsan, "Power amplifier ...
  • S. Bensmida, O. Hammi and F. M. Ghannouchi, "High efficiency ...

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: موسسه غیرانتفاعی
تعداد مقالات: 442
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی