طراحی تقویت کننده یک طبقه توان بالا و فرکانس بالا در کلاس F با دو ترانزیستور موازیGaN برای کاربردهای ۲.۵GHz
محل انتشار: فصلنامه مهندسی مخابرات جنوب، دوره: 11، شماره: 44
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 404
فایل این مقاله در 18 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JCEJ-11-44_006
تاریخ نمایه سازی: 18 مرداد 1401
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده توان فرکانس بالا در کلاس F مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت ۱۵۰ نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت کننده ۲/۵ گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویت کننده مورد نظر تقریبا برابر با dB۱۲/۷۶ است و در یک طبقه طراحی شده است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت کننده توان حدود dBm۳۹/۱۹۶ در توان ورودی dBm۳۰ است. در بیشترین توان خروجی ، PAE حدود ۴۱/۲۵% است که بیشترین مقدار خود را دارد. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراشه ۲۵/۹۰۳ میلیمتر در۱۹/۳۴۶ میلیمتر است. بیشترین مقدارAM/PM و AM/AM به ترتیب برابر dB/deg۲/۳۸ و dB/dB۱/۶۶ است. برای تقویت کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD۳) حدود dBc-۲۰ در فرکانس مرکزی است. برای طراحی این تقویت کننده از تحلیل Loadpull نرم افزار ADS برای بدست آوردن توان خروجی مناسب استفاده شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
باقر ذبیحی
موسسه آموزش عالی سراج، تبریز، ایران
پیمان علیپرست
پژوهشگاه هوافضا، تهران، ایران
ناصر نصیرزاده
موسسه آموزش عالی سراج، تبریز، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :